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英特尔将在12月展示32nm SRAM
来源： 驱动之家 作者：网友投递 时间：2008-10-29 23:14
关键字: 英特尔

    今年12月14日，第54届IEEE电子设备年会将在旧金山召开。根据已经提交的论文简介，Intel将在此次会议上展示32nm工艺试制样品。

    据称，Intel已经成功采用32nm制程造出了可实现所有功能的291Mbit SRAM，共包括20亿个晶体管，单个存储单元的面积仅为0.171平方微米，运行频率3.8GHz，电压1.1V。

    据称，Intel将在32nm工艺投产时首次采用浸润式光刻设备，而这款仍使用193nm深紫外激光的光刻设备将由尼康制造。另外，Intel在32nm工艺上还会使用第二代High-K金属栅极、应变硅沟道以及9级Low-K介电质等新技术。

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最新评论

删除 引用 pyujiang   post at 2008-10-30 11:02:56
现在的科技真的太发达了，这么精密的设备究竟是如何工作的，我的大脑已无法想象。

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删除 引用 redfish   post at 2008-10-30 08:26:07
沙发啊，intel

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