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2019年内存还要跌价,三星SK Hynix美光减产阻止价格下跌

2019-01-03 15:58:05 | 来源:超能网 | 作者:孟宪瑞
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2019年由于PC、服务器及智能手机等产品需求疲软,内存价格预计还会继续跌,不过三星、SK Hynix及美光三大厂商并不乐见内存降价,纷纷采取减少产能的方式以期阻止内存价格下跌。

2018年Q4季度中,涨了两年多的内存价格终于开始跌了,DRAM合约价相比上个季度减少了10%左右,最近大家可能也看到一些内存产品在杀价了,部分16GB内存甚至能做到500元左右,而2017年底8GB DDR4内存价格一度冲向1000元。2019年由于PC、服务器及智能手机等产品需求疲软,内存价格预计还会继续跌,不过三星、SK Hynix及美光三大厂商并不乐见内存降价,纷纷采取减少产能的方式以期阻止内存价格下跌。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了2019年DRAM内存市场研究报告,以下是集邦科技的报告正文:

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,2018年第四季DRAM合约价格较前一季大幅修正约10%后,2019年由于PC、服务器与智能手机等终端产品需求疲软,因此DRAM主要供应商纷纷放缓新增产能的脚步,以期减缓价格跌势。

 

DRAMeXchange指出,与实际位元生产量最相关的指标为各供应商的资本支出计划,而2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元,年减约10%,为近年来最保守的投资水位。

其中,两家韩系厂商最先宣布将放缓2019年投资计划。市占最大的三星半导体2019年DRAM投资总金额约在80亿美元,主要用在先进制程(1Ynm)的持续转进以及新产品的开发。投片计划是三星近年来最保守的一次,目前决议终止平泽厂(Line18)扩产计划,将使2019年位元成长达到历年新低,约在20%水位。

市占第二名的SK海力士2019年DRAM投资金额也降低到约55亿美元,主要用以持续转进新制程与提升良率为主。但由于中国无锡新厂才刚落成,因此该厂全年仍有约30-40K产能提升,根据DRAMeXchange计算,SK海力士2019年位元成长约21%,稍微高过三星。

而市占第三的美光半导体,近日才宣布下修2019年资本支出至约30亿美元,并且将2019年的生产位元成长目标由原先的近20%下修至15%水位,以期改善库存持续升高的状况。而美光半导体目前不论是在瑞晶(台湾美光存储器)、华亚科(台湾美光晶圆科技)、原Elpida广岛厂等都没有扩产计划,2019年投片水平维持在每个月350K的水平,而位元成长将仅来自1Ynm的持续转进。DRAMeXchange认为,美光因为成本结构与两大韩系厂相较偏弱,因此对于承受价格持续下跌的空间较小,才会有较大动作的反应。在连续两年供给位元成长都仅有15%的情况下,美光市占持续被压缩。

 

供应商放缓新增产能、避免削价竞争,以维持获利空间

从三大厂商下修2019年资本支出的营运方向可以看出,在寡占市场中由于没有新进竞争者的威胁,各供应商选择透过调整产出,来避免削价竞争。从获利表现来看,三星与SK海力士生产DRAM的毛利仍有近8成,美光也有6成以上的水平,因此各厂在获利仍丰厚的情况下,选择保守看待2019年的生产展望,也是较为合理的作法。

至于需求端,2019年第一季受到连假以及淡季效应的影响,将会是最为疲弱的季度,而且目前也没有迹象显示第二季之后需求会有所改善。在中美贸易摩擦持续延烧的大前提下,市场仍充满不确定性,基于上述供需预测,DRAM价格仍将逐季修正,2019年第一季价格下修幅度约为15%,第二季预期将收敛至10%以内,而下半年除非需求明显改善,否则价格仍将维持约5%的季度下修。

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