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英特尔eMRAM已准备好大批量生产,基于FinFET工艺

2019-02-21 13:27:44 | 来源:超能网 | 作者:杨申圳
来自英特尔的工程师Ligiong Wei周二在EETimes上提交了一篇论文,显示英特尔自己的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经准备好大批量生产。

不管是DRAM内存还是NAND闪存,最近都在跌价,今年初,集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告Q1季度内存市场均价跌幅将达20%,Q2季度会再跌15%。而NAND闪存方面大家的感受更明显,2018年市场均价跌幅已达50%,并且DRAMeXchange认为若仍无足够需求动能支撑,2019年NAND闪存仍可能再跌50%。对于消费者来说,好消息还不止这些。

根据techpowerup的报道,EETimes上不久前发布了一份报告,该报告显示英特尔自己的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经准备好大批量生产。MRAM主要利用磁致电阻的变化来表示二进制的0和1,从而实现数据的存储,是一种非易失性存储技术,这意味着即使断电情况下,它仍然会保留住信息,同时它还有不输于DRAM的容量密度及使用寿命,平均能耗也远低于DRAM。由于不管是DRAM内存还是NAND闪存,制程微缩已遭遇瓶颈,相对地,MRAM未来制程微缩仍有许多发展空间,MRAM因此备受期待,认为可以取代DRAM内存和NAND闪存。

周二提交这篇论文的英特尔工程师Ligiong Wei说,英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10 年的记忆期,并可在超过100万个开关周期内实现持久性。MRAM省电的特性,意味着英特尔嵌入式MRAM将很有可能先用于移动设备上。并且嵌入式 MRAM 被认为特别适用于例如物联网 (IoT) 设备之类的应用,也赶搭上 5G 世代的列车。

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